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UVLED通常是指發射中心波長在400nm以下的LED，但當發射波長大于380nm時有時稱為近紫外LED，而當發射波長短于300nm時稱為深紫外LED。 由于短波光具有很高的殺菌作用，UVLED通常用于冰箱和家用電器的殺菌和除臭。
在產品方面，日亞化學工業推出了發射中心波長在365nm至385nm范圍內的品種，nitride semiconductor列出了發射中心波長在355nm至375nm之間的品種。uv膠水固化
波長小于300nm的深紫外LED的開發也很活躍。2008年，物理化學研究所和松下電工宣布，使用基于GaN的半導體inalgan開發了一種深紫外LED，其中心波長為282nm，光輸出為10mW。 對于較短波長的深紫外LED，NTT物理科學與技術學院采用aln材料來開發中心發射波長為210nm的深紫外LED。uvled固化
應用程序
編輯
UV LED（uv led）主要用于生物醫學，防偽識別，凈化（水，空氣等），計算機數據存儲和 軍隊。 隨著技術的發展，新的應用將繼續取代原來的技術和產品。UV LED具有廣闊的市場應用前景。 例如，UV LED光療儀是未來非常流行的醫療設備，但目前的技術仍處于增長期。
國產UV LED的發展狀況
“十一五”國家863計劃新材料技術重大專項“半導體照明工程”課題“深UV LED的制備及應用技術研究”經過不斷研究，在高鋁 集團在材料研究和設備應用方面取得了重大突破。
半導體深UV源在照明，消毒，醫療，印刷，生化測試，高密度信息存儲和機密通信領域具有巨大的應用價值。 以algan材料為有效區域的深紫外LED的發光波長可以覆蓋210-365nm的紫外波段，是實現該深波段紫外led器件的乘積的理想材料，具有優勢 其他傳統UV光源無法比擬的
在國家863計劃的支持下，項目研究團隊專注于基于mocvd的深紫外LED材料和器件的研究，重點在于解決表面裂紋的存在，晶體質量差，鋁成分低和 無法實現短波長發光。 在結構材料設計等問題上，一些關鍵技術取得了突破，獲得了晶體質量高，無裂紋的高鋁成分材料。 在此基礎上，受試者首次在國內成功制備了300nm以下的紫外led器件深，實現了設備的毫瓦功率輸出，并開發了深UV殺菌模塊，經測試殺菌率達到95%以上 。